三星 4 纳米过半产能用于 HBM4 基底芯片

ChainCatcher 消息，三星电子晶圆代工事业部在 4 纳米工艺中，分配给第六代高带宽存储器 HBM4 用基底芯片量产的比重最近突破 50%。业界称，该事业部今年下半年将超过一半的 4 纳米晶圆投入 HBM4 基底芯片制造，以配合向英伟达、博通、AMD 等扩大供应。

三星于今年 2 月率先启动 HBM4 量产出货，并计划自第三季度起扩大供应量，自年中起显著增加相关晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺。截至上月，其全部 4 纳米产能中超过 50% 已分配给 HBM4 基底芯片。知情人士称，三星 4 纳米目前处于满产，其中 HBM4 基底芯片占比约 50% 至 60%，下半年将维持高占比。

三星在平泽 2 厂与 3 厂的晶圆代工产线量产 4 至 7 纳米级工艺，其中 4 纳米产能约每月 3 万片，据此估算 HBM4 基底芯片相关晶圆投入约每月 1.5 万片。三星在第二季度业绩电话会上表示，预计第三季度 HBM4 营收环比扩大 3 倍以上，下半年 HBM4 营收将超过公司整体 HBM 营收的 60%。