三星开发英伟达定制 NVHBM，推进 8 层高速 HBM4E

ChainCatcher 消息，据首尔经济报道，三星电子正开发符合英伟达要求的 HBM4E（第七代）8 层产品，以抢占其定制高带宽存储器 NVHBM 供应的核心合作伙伴地位。该产品较原计划的 12 层、16 层降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星初期 HBM4E 样品速度（14.4Gbps）高出约 20%，将用于英伟达公开的 NVLink 优化规格的 NVHBM。

采用 8 层与以往通过增加堆叠层数提升容量的 HBM 竞争逻辑相反，可降低后工序难度与良率压力，有利于扩大供应，被视为英伟达缓解内存短缺的策略。NVHBM 有望自明年推出的下一代 AI GPU“Rubin Ultra”起应用，该 GPU 将 GPU 间连接规模从 72 个最高扩至 576 个，通过搭载更快 HBM 的数百个 GPU 协同提升整体算力。

在定制 HBM 市场，三星相较 SK 海力士、美光更具竞争力，因 NVHBM 需 DRAM 与基于逻辑芯片的基裸片设计生产能力，三星可一体化应对。业界人士称，三星已在 HBM4 验证业界最高水平速度，可在速度竞争中发挥优势。