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ChainCatcher 消息，SK 海力士将于周二美股盘后公布 2026 年第三季度财报，并同步披露新的股东回报方案。市场关注高带宽存储器 HBM 需求、盈利表现，以及是否推出大规模特别股息。三星电子、日本铠侠等存储厂商也将陆续公布业绩。AI 基础设施需求推动存储芯片景气度上行。KB 证券分析师估计，韩国两大存储芯片厂商明年计划生产的存储器中，超过 70% 已被与大型科技公司签订的五年期供应协议覆盖。市场开始担忧 AI 资本支出回报及融资成本，投资者更关注订单质量、未来需求持续性和扩产节奏。韩国媒体此前报道，SK 海力士考虑发放约 16 万亿韩元（约 120 亿美元）特别股息；另有报道称新增股东回报最高可能达 60 万亿韩元（约 450 亿美元）。上述金额均未获公司正式确认。SK 海力士此前已宣布回购并注销价值 40 万亿韩元的库存股，并计划将 2025 年至 2027 年自由现金流的 50% 以上用于股东回报。

ChainCatcher 消息，加拿大皇家银行资本市场（RBC Capital）发布研报称，人工智能需求持续超过供给，高带宽内存（HBM）价格上涨有望支撑整体 DRAM 平均销售价格，存储芯片厂商 SK 海力士将持续受益于存储芯片上行周期。报告指出，2027 年 HBM 价格可能上涨 80% 到 100%。RBC 认为，DRAM 上行周期在已持续 14 个季度的基础上还将再持续五个季度，供应紧张预计持续到 2027 年。RBC 预计 SK 海力士第三季度业绩将略高于市场共识，营收料达 101.2 万亿韩元，调整后每份美国存托凭证收益为 8917 韩元（约合 6.72 美元）。三季度 DRAM 合约价环比上涨 20%，四季度可能再涨 15%。RBC 重申“跑赢大盘”评级，目标价 200 美元，较最新收盘价高出约 40%。美股市场上，SK 海力士股价周一大涨逾 4%，报 142.62 美元。野村证券近日表示，存储芯片短缺将持续至 2028 年，维持三星电子和 SK 海力士“买入”评级，目标价分别为 67 万韩元和 470 万韩元。韩国 KB 证券周一表示，两家企业市盈率已降至约 3 倍。本周三 SK 海力士将发布第三季度财报，据 FnGuide 调查，分析师预计营收 98.2 万亿韩元、营业利润 77 万亿韩元。据媒体报道，公司正考虑派发约 16 万亿韩元特别股息。

ChainCatcher 消息，三星电子和 SK 海力士计划于明年第二季度开始量产并交付 8 层 HBM4，供应给英伟达。据知情人士透露，英伟达将根据 Rubin Ultra 的 NVL 机架规模配备 8 层 HBM4，预计从明年年中开始，8 层 HBM4 的比例将显著增加。

ChainCatcher 消息，据《科创板日报》报道，韩国存储芯片企业 SK 海力士与三星电子将于本周分别公布 2026 年第三季度业绩，SK 海力士定于周三发布，三星电子定于周四发布。报道称，随 AI 芯片需求上涨及存储芯片价格走高，两家公司有望交出较强业绩，三季度合计营业利润预计达 184.4 万亿韩元，约合 1391 亿美元。三星电子 10 月 8 日公布的初步业绩显示，第三季度营收同比增长 127%，达 195 万亿韩元；营业利润 107.4 万亿韩元，约合 801.7 亿美元，上年同期为 12.17 万亿韩元，增长近 8 倍。据 FnGuide 调查的分析师预计，SK 海力士第三季度营收 98.2 万亿韩元，营业利润 77 万亿韩元。2025 年三星与 SK 海力士营业利润分别为 43.6 万亿韩元和 47.2 万亿韩元，合计 90.8 万亿韩元。若预测成真，三星将成为首家季度营业利润突破 100 万亿韩元的韩国企业。截至 10 月 23 日收盘，三星和 SK 海力士股价分别较 6 月底下跌 36% 和 52%。报道称，投资者将亮眼财报视为预期之内，关注焦点包括 HBM4 供应、长期协议和股东回报。TrendForce 预测明年 HBM 销售均价将较今年上涨 121%，三星和 SK 海力士明年产量已售罄。二季度财报中，三星披露与五家数据中心客户签订长期协议，SK 海力士与十余家客户敲定多年期合同。三星今年公布 90 万亿至 110 万亿韩元股东回报计划，并将在本月底确定约 30 万亿韩元的三季度现金分红。SK 海力士 8 月公布 40 万亿韩元回购计划，并停止推进 Solidigm 上市评估。KB 证券负责人 Kim Dong-won 称，尽管股价大幅回调，两家盈利预期已被上调，股票重估的关键催化剂预计是盈利增长的可持续性以及股东回报力度能否进一步加大。

ChainCatcher 消息，据科创板日报，英伟达首席执行官黄仁勋周四在柏林 GTC 大会期间接受媒体采访时表示，到 2029 年出现内存供应过剩的可能性不大。他说，内存很棒的一点是永远可以用得更多，并称 HBM 未来数年会持续得到应用。黄仁勋还表示，英伟达是全球首家将手机中使用的 LPDDR 内存引入数据中心的公司，这使其能效达到目前全球任何方案的两倍，因此将继续大量使用这类内存。他上周四称，客户对 AI 芯片的订购需求持续超过公司供应能力，新订单几乎每周、甚至每天都在涌入。过去一周，存储芯片股因市场担忧供应过剩和需求疲软而遭遇抛售。韩国一家知名媒体上周发表专栏，援引两位专家称，预计到 2029 年半导体将出现大量新增供应，存储芯片市场可能变成红海。周四纳斯达克综合指数收跌 2.6%，报 26008.86 点；闪迪跌 8.51%，SK 海力士跌 8.07%，希捷科技跌 7.86%，西部数据跌 6.43%，美光科技跌 6.23%。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 20 日援引半导体业界报道，已被英伟达实质收购的 AI 芯片公司 Groq 正推进在下一代芯片中引入 DRAM 三维堆叠封装，以替代速度快但容量较小的 SRAM 方案。Groq 由前谷歌 TPU 设计者 Jonathan Ross 于 2016 年创立，报道称该公司去年被英伟达以迂回方式收购。报道称，Groq 正在评估的方案为 3DS，即通过硅通孔把 DRAM 芯片垂直连接的高容量封装。三维封装可将多颗裸片垂直堆叠并作为一颗芯片工作，相较平面方案缩小面积、提高电力效率。3DS 与 HBM 都使用硅通孔，但 HBM 侧重传输速度，3DS 维持既有 DRAM 接口并聚焦容量扩张。匿名业界人士表示，Groq 计划在下一代芯片采用三维封装，堆叠的是 DRAM 而非 SRAM；另一名人士称，市场需求转向更大容量芯片，Groq 因此选择在容量上更有优势的 DRAM。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，美光科技（Micron）台湾桃园工会于 10 月 20 日宣布，计划于本周四发起罢工，以抗议员工奖金与利润分享方案争议，并声援正在与公司进行调解谈判的台中工会。目前，桃园工会与美光的调解已于 9 月破裂，前者于 10 月初获得成员罢工授权。台中工会代表美光在台湾规模最大的运营部门，目前仍在与公司谈判，尚未就是否罢工进行投票。美光在台湾拥有约 15,000 名员工，主要生产 AI 服务器关键组件 DRAM 和高带宽内存（HBM）。桃园工会未说明罢工具体时长，台湾地区领导人赖清德上周呼吁双方真诚协商。

ChainCatcher 消息，美光科技副总裁李哲在首尔 COEX 举行的韩国半导体展 SEDEX 2026 上表示，公司正在研发面向物理 AI 的边缘推理存储器 EIM。业内预计该产品将于 2028 年下半年量产。美光正研究把 EIM 用于 LPDDR6，以服务自动驾驶、人形机器人等对低功耗 DRAM 的需求，并正与主要客户讨论相关产品。科创板日报报道，EIM 位于 AI 芯片与内存之间，做法是把 LPDDR 堆叠在逻辑芯片上，以高速处理推理数据，计算架构尚未完全公开。李哲称，目前机器人 AI 模型约 10 亿至 20 亿参数，带宽需求不高；更先进的视觉语言模型出现后，仅靠 LPDDR 不够，HBM 最终会用于人形机器人。美光预计，未来高性能人形机器人约需 200 GB DRAM 和 4 TB 存储，目前服务型机器人约为 12 GB DRAM 和 256 GB 存储。美光 CEO 桑贾伊·梅洛特拉称，人形机器人单机存储容量是普通 L2+ 乘用车的约 10 倍，存储行业或从 2030 年前后进入持续数十年的需求增长，原因包括需同步处理上百路传感器数据，并在本地运行大模型做毫秒级控制。Counterpoint Research 预计，全球人形机器人 DRAM 需求将从今年约 8300 Tbit 增至 2030 年约 17.2 万 Tbit。

ChainCatcher 消息，英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技采用台积电 3nm 制程的基底裸片为其生产 NVHBM，核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子已决定接受英伟达的技术要求，但对涉及客户的事项不予评论。

ChainCatcher 消息，三星电子将采用台积电的 3 纳米制程，为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片，并使用第六代 DRAM 技术。三星计划继续自主生产标准 HBM 和其他客户的定制产品。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 报道，存储芯片厂商 SK 海力士在扩大第六代高带宽内存 HBM4 量产的同时，部分后道设备业内人士认为扩产速度慢于预期，今年计划追加的部分设备订单可能推迟至明年。设备业人士称，原定今年下半年交付的部分设备出现延后迹象，后续订单计划也尚未明确。有匿名人士表示，部分原计划今年投入的设备或改至明年，已交付设备是否满负荷运转也尚无数据确认。明年 HBM4 相关投资计划尚未具体传达给部分合作方，今年订单已大体完成，但未见明确的增减投资信号。报道称，设备投资日程与产品质量问题之间的直接关联尚未得到确认。大信证券研究员柳亨根认为，主要客户 HBM4 质量问题导致业绩低于预期的担忧过度，后道环节或曾出现部分问题，但难以视为无法解决的风险，也尚未到讨论不良赔偿的阶段。另有业内说法称，在通用内存价格上涨背景下，部分 HBM 投资或转向通用内存。SK 海力士计划优先向龙仁集群 Y1 晶圆厂首个洁净室导入 DRAM 生产设备，业界预计初期产线采用第六代 10 纳米级 1c 工艺，新增产能将优先分配给通用 DRAM。也有观点认为，仅凭部分后道设备日程变化，尚不足以判断 HBM4 量产受阻，SK 海力士已向主要客户供应 HBM4 16 层样品。

ChainCatcher 消息，X 账号 pequityresearch 发文称，彭博旗下研究机构彭博情报预计，高带宽内存市场规模到 2030 年将达到 6410 亿美元，高于此前 2600 亿美元的预测。该账号援引的预测还显示，彭博情报预计 HBM3E 与 HBM4 价格将在 2027 年上涨 30% 至 45%，高带宽内存平均价格将从 2026 年的 15.46 美元升至 2030 年的 34.94 美元。

ChainCatcher 消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。

ChainCatcher 消息，据韩媒报道，三星电子已就明年存储供应签署长期协议，覆盖比例约为 75% 至 80%，其中包括高带宽内存。报道称，三星电子已与英伟达、谷歌、微软等主要科技公司完成大部分合同敲定。SK 海力士与美光也在加快锁定供应量，并与主要客户签署一系列大规模长期合同。三星电机据称接近与台湾电力电子公司台达电子签署价值 7000 亿韩元的长期协议，用于供应多层陶瓷电容器。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲转载的路透社报道，代表美光科技台湾桃园厂员工的工会称，周三已取得会员罢工授权，争议焦点是公司奖金方案。该工会称，1,994 名会员投票赞成罢工，占投票者的 99%，罢工时间等细节仍在讨论。美光在台湾约有 15,000 名员工，桃园与台中各设独立工会，两个工会合计代表美光台湾员工的 80% 以上，美光台湾是该公司最大制造基地。台湾是美光 DRAM 与高带宽内存的关键生产地，相关芯片是 AI 服务器的重要部件。与桃园工会的调解于 9 月未达成协议，台中工会仍在谈判。美光 9 月宣布向全球逾 60,000 名员工发放 2026 财年奖励，称公司经历了“非凡的一年”，其中台湾员工获得 100 万新台币现金奖金，约合 31,400 美元。桃园工会称，该方案未回应建立永久性利润分享机制的要求，并批评美光在调解期间未先与工会达成协议就宣布奖励。

ChainCatcher 消息，AMD 董事长兼首席执行官苏姿丰于 10 月 7 日下午约 4 时 44 分抵达首尔三星电子瑞草办公楼，与设备解决方案部门负责人全永铉副会长会面，距上次访韩约 7 个月。AMD 计算与图形集团负责人 Jack Huynh、副总裁 Joseph Macri 随行。苏姿丰表示，双方将讨论更广泛的伙伴关系，并称三星方面有许多合作伙伴；被问及是否会见李在镕时，她表示不便透露。访三星前，苏姿丰出席首尔 AMD 玩家日，将三星与 SK 海力士称为核心供应链伙伴，并称因人工智能需求上升正在规划长期供应链。她表示，新一代 MI455 与 Helios 系统已开始出货且均采用 HBM4，获两家支持，HBM 合作不会止于一代。报道称，Instinct MI455X 搭载 432GB HBM4，较前代 MI355X 的 288GB HBM3E 增加 50%。她称内存供应非常紧张，正与客户优化用量并要求伙伴扩大生产。TrendForce 于上月 29 日预计，HBM 与普通 DRAM 共用有限先进制程产能，供应紧张或延续至明年。报道称，双方今年 3 月签署以 HBM4 与下一代 DDR5 供应为中心的谅解备忘录，将三星定为 MI455X 用 HBM4 主要供应商，并讨论由三星代工生产 AMD 下一代产品。全永铉当时表示，三星可同时提供内存、代工与封装。

ChainCatcher 消息，据韩国经济日报报道，三星电子的下一代高带宽内存 “12 层 HBM4E” 产品已通过英伟达及主要超大规模数据中心运营商的质量验证。

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。