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ChainCatcher 消息，加拿大皇家银行资本市场（RBC Capital）发布研报称，人工智能需求持续超过供给，高带宽内存（HBM）价格上涨有望支撑整体 DRAM 平均销售价格，存储芯片厂商 SK 海力士将持续受益于存储芯片上行周期。报告指出，2027 年 HBM 价格可能上涨 80% 到 100%。RBC 认为，DRAM 上行周期在已持续 14 个季度的基础上还将再持续五个季度，供应紧张预计持续到 2027 年。RBC 预计 SK 海力士第三季度业绩将略高于市场共识，营收料达 101.2 万亿韩元，调整后每份美国存托凭证收益为 8917 韩元（约合 6.72 美元）。三季度 DRAM 合约价环比上涨 20%，四季度可能再涨 15%。RBC 重申“跑赢大盘”评级，目标价 200 美元，较最新收盘价高出约 40%。美股市场上，SK 海力士股价周一大涨逾 4%，报 142.62 美元。野村证券近日表示，存储芯片短缺将持续至 2028 年，维持三星电子和 SK 海力士“买入”评级，目标价分别为 67 万韩元和 470 万韩元。韩国 KB 证券周一表示，两家企业市盈率已降至约 3 倍。本周三 SK 海力士将发布第三季度财报，据 FnGuide 调查，分析师预计营收 98.2 万亿韩元、营业利润 77 万亿韩元。据媒体报道，公司正考虑派发约 16 万亿韩元特别股息。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 20 日援引半导体业界报道，已被英伟达实质收购的 AI 芯片公司 Groq 正推进在下一代芯片中引入 DRAM 三维堆叠封装，以替代速度快但容量较小的 SRAM 方案。Groq 由前谷歌 TPU 设计者 Jonathan Ross 于 2016 年创立，报道称该公司去年被英伟达以迂回方式收购。报道称，Groq 正在评估的方案为 3DS，即通过硅通孔把 DRAM 芯片垂直连接的高容量封装。三维封装可将多颗裸片垂直堆叠并作为一颗芯片工作，相较平面方案缩小面积、提高电力效率。3DS 与 HBM 都使用硅通孔，但 HBM 侧重传输速度，3DS 维持既有 DRAM 接口并聚焦容量扩张。匿名业界人士表示，Groq 计划在下一代芯片采用三维封装，堆叠的是 DRAM 而非 SRAM；另一名人士称，市场需求转向更大容量芯片，Groq 因此选择在容量上更有优势的 DRAM。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，美光科技（Micron）台湾桃园工会于 10 月 20 日宣布，计划于本周四发起罢工，以抗议员工奖金与利润分享方案争议，并声援正在与公司进行调解谈判的台中工会。目前，桃园工会与美光的调解已于 9 月破裂，前者于 10 月初获得成员罢工授权。台中工会代表美光在台湾规模最大的运营部门，目前仍在与公司谈判，尚未就是否罢工进行投票。美光在台湾拥有约 15,000 名员工，主要生产 AI 服务器关键组件 DRAM 和高带宽内存（HBM）。桃园工会未说明罢工具体时长，台湾地区领导人赖清德上周呼吁双方真诚协商。

ChainCatcher 消息，美光科技副总裁李哲在首尔 COEX 举行的韩国半导体展 SEDEX 2026 上表示，公司正在研发面向物理 AI 的边缘推理存储器 EIM。业内预计该产品将于 2028 年下半年量产。美光正研究把 EIM 用于 LPDDR6，以服务自动驾驶、人形机器人等对低功耗 DRAM 的需求，并正与主要客户讨论相关产品。科创板日报报道，EIM 位于 AI 芯片与内存之间，做法是把 LPDDR 堆叠在逻辑芯片上，以高速处理推理数据，计算架构尚未完全公开。李哲称，目前机器人 AI 模型约 10 亿至 20 亿参数，带宽需求不高；更先进的视觉语言模型出现后，仅靠 LPDDR 不够，HBM 最终会用于人形机器人。美光预计，未来高性能人形机器人约需 200 GB DRAM 和 4 TB 存储，目前服务型机器人约为 12 GB DRAM 和 256 GB 存储。美光 CEO 桑贾伊·梅洛特拉称，人形机器人单机存储容量是普通 L2+ 乘用车的约 10 倍，存储行业或从 2030 年前后进入持续数十年的需求增长，原因包括需同步处理上百路传感器数据，并在本地运行大模型做毫秒级控制。Counterpoint Research 预计，全球人形机器人 DRAM 需求将从今年约 8300 Tbit 增至 2030 年约 17.2 万 Tbit。

ChainCatcher 消息，英伟达已要求三星电子、SK 海力士和美光科技采用台积电 3nm 制程的基底裸片为其生产 NVHBM，核心裸片则采用第六代 DRAM 技术。三星电子已决定接受英伟达的技术要求，但对涉及客户的事项不予评论。

ChainCatcher 消息，市场研究机构 Counterpoint Research 与 TrendForce 于 18 日表示，中国 DRAM 厂商长鑫存储月晶圆产能预计将从目前约 32 万片扩大至 2027 年的 42 万片，一年多时间新增约 10 万片，增幅达 31.3%。行业预计，长鑫存储月 DRAM 晶圆产能到 2028 年底将达到 50 万至 60 万片。若按上限 60 万片计算，较当前水平增加 28 万片，增幅约 87.5%。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 报道，存储芯片厂商 SK 海力士在扩大第六代高带宽内存 HBM4 量产的同时，部分后道设备业内人士认为扩产速度慢于预期，今年计划追加的部分设备订单可能推迟至明年。设备业人士称，原定今年下半年交付的部分设备出现延后迹象，后续订单计划也尚未明确。有匿名人士表示，部分原计划今年投入的设备或改至明年，已交付设备是否满负荷运转也尚无数据确认。明年 HBM4 相关投资计划尚未具体传达给部分合作方，今年订单已大体完成，但未见明确的增减投资信号。报道称，设备投资日程与产品质量问题之间的直接关联尚未得到确认。大信证券研究员柳亨根认为，主要客户 HBM4 质量问题导致业绩低于预期的担忧过度，后道环节或曾出现部分问题，但难以视为无法解决的风险，也尚未到讨论不良赔偿的阶段。另有业内说法称，在通用内存价格上涨背景下，部分 HBM 投资或转向通用内存。SK 海力士计划优先向龙仁集群 Y1 晶圆厂首个洁净室导入 DRAM 生产设备，业界预计初期产线采用第六代 10 纳米级 1c 工艺，新增产能将优先分配给通用 DRAM。也有观点认为，仅凭部分后道设备日程变化，尚不足以判断 HBM4 量产受阻，SK 海力士已向主要客户供应 HBM4 16 层样品。

ChainCatcher 消息，中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）称，其在一种新存储结构上取得关键进展。三星电子与 SK 海力士也在推进同类结构，以提高存储密度。公司总裁曹侃宇在上海一场产业活动上表示，长鑫存储计划在 2026 年底前推出基于该结构的新服务器内存产品，相关说法来自公司声明。该结构为 4F² 设计，即每个存储单元占用面积为 4F²，其中 F 为半导体最小线宽。公司称，这一专有晶体管设计可通过在单颗芯片上容纳更多存储单元来提高存储密度，并改善效率。目前主流商用 DRAM 采用 6F² 单元结构。

ChainCatcher 消息，IT之家援引 Money Today 10 月 8 日报道，三星电子移动体验（MX）部门已计划削减智能手机产量，2026 年第四季度产量最高降幅达 30%。多家 IT 行业知情人士称，三星 MX 部门已通知多家合作伙伴，要求将产品供应量减少 20% 至 30%。IT之家注明，原文未明确这 30% 是环比、同比，还是与此前预期产量对比。产量方面，三星电子原计划依托 Galaxy Z Fold8 等新产品，全年生产高达 2.7 亿部智能手机。第四季度大幅削减后，全年最终产量预计降至 2 亿部出头，降幅超出市场原先预期。IDC 数据显示，今年第一、二季度智能手机出货量分别为 6240 万部和 6270 万部，此前预测第三、四季度出货量分别为 5900 万部和 5200 万部，第四季度较第三季度下降约 12%。Money Today 报道称，内存价格上涨是减产的核心驱动因素。TrendForce 数据显示，今年第二季度智能手机低功耗 DRAM（LPDDR5X）12GB 规格售价为 145 至 146 美元，较去年同期上涨 175%。报道还称，人工智能需求推高存储器价格，预计第三季度智能手机 DRAM 价格将再涨约 20%，最高可达 180 美元。IT 行业人士称，当前三星手机销售已无利润，减产是维持整体盈利的策略。

ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，韩国《中央日报》报道，其取得的三星电子部长出身、前长鑫存储（CXMT）设备投资负责人全某的陈述书显示，CXMT 前 CEO 王宁国曾于 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韩国团队，要求带回三星电子工艺配方计划（PRP）及设备信息，并称若不带回将向韩国政府举报，还警告对方有核实人脉、不要说谎。全某称当时感到害怕。报道称，CXMT 管理层当时以“黄山”作为三星电子的代号。全某在三星电子工作 28 年后加入 CXMT，因涉嫌未经授权泄露并使用三星投入 1.6 万亿韩元、当时全球率先开发的 18 纳米 DRAM 工艺被起诉，今年 4 月一审被判 7 年有期徒刑，目前处于二审。PRP 包含 DRAM 制造约 600 个步骤的顺序、设备、条件值及设备公司与型号。三星工艺设计工程师出身的朴某于 2016 年 9 月将相关内容手抄在 12 页笔记中带出，目前处于国际刑警组织红色通报状态。全某在庭审中陈述，与中国方面沟通时出现过做不出 18 纳米就不向 CXMT 提供投资的说法，并称后来得知对方从一开始就想要该技术，CXMT 起初并无自行开发打算。上述施压发生在为申请投资准备会议之前。CXMT 于 2016 年由合肥市政府下属合肥产业投资出资 144 亿人民币设立，约 10 年未盈利，去年首次年度盈利，净利润 71 亿人民币。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正加快平泽第五园区（P5）首条量产线（Ph1）建设，并与主要设备厂商讨论将 Ph1 设备搬入目标从原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投产为目标的下一代半导体生产基地，今年三季度已开始建设 Ph1 洁净室。三星电子此前已将原定明年初完成的 P5 Ph1 洁净室建设提前约 6 个月，设备导入因此预计在明年三季度左右。业内人士称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前后；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付设备、由其他地点暂存，显示其提前投资意愿较强。P5 第二阶段（Ph2）投资讨论也在推进。目前 Ph1 更可能建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。设备业人士称，正式采购订单尚未下达，但三星已与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线，并因设备交付周期较长，要求提前备妥相关零部件。报道称，全球大型科技公司增加 AI 基础设施用高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业产能有限。三星在 7 月二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延至明年，明年供应短缺将比今年更严重，并预计短缺将持续至 2028 年。

ChainCatcher 消息，半导体分析机构 Kernel Insight：人工智能需求推动 DRAM 价格维持历史高位，最新工艺 DRAM 的单位面积销售价值已高于台积电 N2、N3 晶圆价格。该机构将台积电 300 毫米 N3 晶圆价格估为 2 万美元、N2 为 3 万美元，折合名义价格分别约为每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未计入边缘损耗、切割损耗及良率与缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度计算，1y DRAM 为每平方毫米 0.329 美元，1z 为 0.410 美元，1b 为 0.654 美元，较 N2 高出 50% 以上。10 纳米级工艺按 1y、1z、1a、1b 的顺序逐步微缩。上述每 Gb 价格假设接近现货，DRAMeXchange 数据显示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片平均成交价为 24.80 美元，约合每 Gb 1.55 美元。比较口径存在差异。台积电数字是客户支付的晶圆代工价格，DRAM 数字是成品销售的总销售潜力，且未计入先进封装成本；台积电实际供货价会随订单量与合约变化。DRAM 指标基于小额现货价格，不同于三星电子、SK 海力士、美光营收主体的长期合约价格。非公开固定交易价格近期走强，若尚未完全反映到现货价格，存储厂商晶圆单位价格的领先幅度可能更大。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。

ChainCatcher 消息，富达投资全球宏观总监 Jurrien Timmer 在 X 平台表示，AI 领域交易已超过三个月处于“死钱”状态，其跟踪的 token 支出和 GPU 租赁费率均持平或下降，仅内存（DRAM）价格持续上涨。 Timmer 认为，AI 长期将改变生活，并可能释放生产率奇迹，使经济非通胀速度上限提高到足以维持全球债务可持续的水平。但在此之前，当前的建设是通胀性的，对数万亿美元算力投资的回报尚不确定，企业股权和债务资本需求正以 3.3 万亿美元的速度增长。

ChainCatcher 消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。

ChainCatcher 消息，据 TechPowerUp 报道，中国 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）预计到 2026 年底 DRAM 晶圆月产能约达 35 万片，美光同期预估约 37.5 万片。长鑫存储洁净室建设周期约 12 个月，短于行业通常的 21 至 24 个月。受美国制裁无法获得 EUV，长鑫存储使用较旧的 DUV 光刻及多重图案化技术。该公司已开始出货 16 Gb DDR5 芯片，速度 8000 MT/s，芯片面积 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 单元较 G3 小 20%。24 Gb 模组以约 6000 MT/s 量产，LPDDR5X-10667 模组（12 Gb 和 16 Gb）亦已量产。中国政府正鼓励长鑫存储向 JHICC、Swaysure 及长江存储子公司 XMC 等国内厂商转移 DRAM IP。

ChainCatcher 消息，界面新闻从产业链独家获悉，苹果已接受三星电子 2027 年一季度存储芯片报价：DRAM 接近 2.0 美元 /Gb，NAND 闪存接近 0.33 美元 /Gb，较今年三季度报价上涨 30%-40%。界面新闻就此消息向苹果求证，截至发稿暂无回应。