sk海力士

ChainCatcher 消息，SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正在研究深化与日本存储芯片客户及供应商合作的方式，并谨慎评估如何共同发展 NAND 闪存市场。对于公司在铠侠持有的重要间接权益，他表示目前「没有任何确定计划」。东芝本月减持后，为 SK 海力士持有相关股份的投资工具 BCPE Pangea Cayman2 已成为铠侠最大股东，持股比例为 14.19%。SK 海力士持有可转换为该投资工具几乎全部投票权的债券；根据此前协议，除非获得铠侠同意，其投票权益在 2028 年前不得超过 15%。此外，SK 海力士正投资逾 40 亿美元在美国印第安纳州建设其首座美国 HBM 封装基地。工厂洁净室预计于 2028 年 10 月启用，下一代 HBM 计划于 2029 年下半年量产，全面运营后预计将雇用约 1000 人。公司同时仍在评估美国 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性，但尚未作出决定。

ChainCatcher 消息，据韩媒 Chosun Biz 报道，SK 海力士 NAND 因旧工艺产线转换落后，效率差距难缩小。截至今年第二季度，其 176 层产品占比仍约 50%，三星已完成以 236 层为主力的转换。Omdia 数据显示，美光 232 层占比 53%，YMTC 达 68%。NAND 价格上升周期中，先进工艺占比高的企业成本与利润改善更好。SK 海力士（含 Solidigm）NAND 营收份额从去年第四季度 21.4% 降至今年第一季度 16.4%，YMTC 从 11.5% 升至 16.2%。SK 海力士设备投资优先 DRAM 和 HBM，NAND 投资连续三年减少，从 2023 年 35 亿美元降至 2025 年 29 亿美元，拖慢转换。目前正考虑对老旧 NAND 资产减值以优化成本。

ChainCatcher 消息，据日经亚洲报道，韩国芯片制造商 SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示，全球存储芯片短缺预计将持续至 2030 年底，供应过剩风险较低。他指出，在 AI 时代存储芯片已不再只是“大宗商品”，目前没有看到供应过剩或行业低迷的信号，AI 客户需求依然强劲。SK 海力士是英伟达主要供应商。报道称，该公司在美国印第安纳州首座 HBM 芯片封装厂启动后，对进一步扩大在美投资仍持开放态度。

ChainCatcher 消息，花旗集团预计，2026 年韩国企业在全球债券和股票市场的发行规模将创下纪录。企业正通过国际投资者筹集增长资金，其中以 SK 海力士规模达 265 亿美元的美国上市交易最为突出。花旗环球金融韩国首席执行官 Jangho Park 表示，韩国拥有越来越多世界级企业和新兴行业领军者，正日益以具有竞争力的融资条件利用资本市场，为自身增长目标筹集资金。花旗作出这一展望之际，韩国两大芯片制造商正成为全球人工智能基础设施建设的主要受益者。韩国正寻求推动包括三星电子和 SK 海力士在内的企业至少投入 1350 万亿韩元（9750 亿美元）用于芯片和数据中心建设，不过许多项目仍处于早期规划阶段。

ChainCatcher 消息，三星电子与 SK 海力士计划在今年下半年增加对英伟达的 8 层 HBM4 内存供应量。此举受英伟达供应策略影响，旨在保障 HBM 内存供应稳定，并兼顾产品发热量。

ChainCatcher 消息，8 月 24 日有消费者发现，“SKhynix 旗舰店”店铺主页已发布终止经营公示，拟于 2026 年 9 月 9 日自主终止经营，店内商品已全部下架。截至 8 月 25 日，淘宝平台已无法直接搜索到该店铺。公开资料显示，该店此前主要销售 SK 海力士品牌消费级固态硬盘，运营主体为天津海利士科技有限公司。天眼查信息显示，该公司于 2020 年 7 月注册，注册资本 100 万元，经营范围涵盖技术服务、电子产品销售等，公开工商信息暂未显示其与 SK 海力士总部或中国区存在股权、控股或直接隶属关系。SK 海力士中国区方面表示，经核实“SKhynix 旗舰店”并非由公司直接运营。至于关店原因、其他相关电商店铺经营或授权情况及历史订单质保安排等问题，其表示正在内部及与相关方核实中。此次关店事件再次引发外界对 SK 海力士收缩消费级存储业务的猜测。今年 1 月市场一度传出其计划停产消费级存储器、退出消费级 DRAM 和 NAND 业务的消息，1 月 14 日 SK 海力士相关人士曾公开否认，称公司目前并未探讨或规划退出消费者用产品事业的计划。

ChainCatcher 消息，据韩国《朝鲜日报》报道，韩国 DRAM 出口价格持续飙升，AI 驱动的 HBM 生产正在挤压普通内存供应。数据显示，本月 1 日至 20 日，韩国 DRAM 出口单价达到每公斤 9.2183 万美元，同比上涨 401%，较 2023 年 1 月低点上涨约 12.5 倍。高盛预计 DRAM 供应缺口将从今年的 5.0% 扩大至明年的 5.9%，并认为 AI 服务器所需的 HBM 以及大容量服务器 DRAM 正在吸收有限的生产产能，导致普通 DRAM 供应进一步收紧，供应短缺可能持续至 2028 年。TrendForce 预计，到明年底，三星、SK 海力士和美光用于 HBM 生产的晶圆投入量将占 DRAM 总晶圆投入的 30%，但 HBM 占实际 DRAM 比特供应量仅约 13%。内存厂商警告，AI 需求推动的 DRAM 和 NAND 供应紧张可能持续至 2027 年以后。SK 海力士表示，从供应端来看 2027 年可能成为内存行业历史上最严重的短缺年份。

ChainCatcher 消息，据澎湃新闻等报道，8 月 24 日有消费者称淘宝天猫店铺“SKhynix 旗舰店”突然宣告终止经营，担忧所购内存条售后质保受影响。该店铺主页公示拟于 2026 年 9 月 9 日自主终止经营，并已下架所有产品，目前无法在淘宝直接搜索到该店。淘宝平台客服表示，关店后若订单仍在售后有效期内，可在订单详情页申请维修或退款；若无售后入口或卖家未处理，可联系平台客服协助，或查看是否享有品牌官方质保。8 月 25 日 SK 海力士股价低开低走，截至相关发稿跌幅超 4%。另据报道，SK 海力士工会成员投票否决经两月谈判达成的初步薪资协议，参与投票的 15045 名员工中 50.08% 反对，赞成与反对仅差 25 票。协议原包括 6.3% 薪资增长，并将利润分享奖金调整为 40% 现金、60% 公司股份，此前为全部现金发放。

ChainCatcher 消息，8 月 25 日，据韩联社，SK 海力士工会否决了与管理层达成的初步薪资协议。该初步协议在投票中以 50.08% 的反对票被否决。此前，工会领导层与管理层在将协议提交会员投票前已达成了该初步协议。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子与 SK 海力士计划至明年持续对中国 NAND 闪存量产线进行设备投资，以强化当地生产据点。三星今年上半年起已在西安 X2 产线推进 V9 NAND 转换投资，该产品为约 280 层堆叠的先进制程，预期可形成月产能 4 万至 5 万片；为稳定量产，公司已确定补充投资计划，核心是追加蚀刻工艺设备，相关采购订单有望年底前后明确，补充投资拟自明年下半年起执行。SK 海力士则自今年三季度起推进大连 2 厂 NAND 产品升级相关设备投资，讨论中的规模约合月产能 3 万片，关键制造设备自下月起陆续进场，并计划于明年上半年前完成部署。大连工厂系其 2020 年下半年收购英特尔 NAND 事业部后承接的资产，2022 年曾为扩产举行 2 厂开工仪式，后因市况等因素暂缓设备投入，目前投资重新启动。行业人士指出，上述安排旨在分阶段扩大中国境内先进 NAND 产能，以应对人工智能服务器等领域对高端存储需求的快速增长。

ChainCatcher 消息，8 月 24 日，SK 海力士正在为其下一代 HBM 解决方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终迈入 3D 封装时代。在 2026 年的 Hot Chips 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为「高带宽内存的先进封装」的报告，阐述公司将如何利用先进封装技术加速其 HBM 产品路线图。目前 SK 海力士正在探索混合键合等方法，以突破 16 层堆叠的限制。未来，SK 海力士还计划通过增加 TSV 数量、提高逻辑工艺集成的 IO 速度，以及优化电源分配网络来解决功耗挑战。截至发文时，SK 海力士韩股涨 1.71%。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 (SKHY.O) 在文件中表示，目前尚未决定是否在日本建设半导体生产设施。该公司回应有关其可能赴日建厂的媒体报道。 SK 海力士表示：“为增强存储芯片业务的竞争力，公司正在评估包括增设生产基地在内的多种方案，但截至目前尚未确定任何事项”。公司称，将在具体细节得到确认时，或在本次报告发布后一个月内，进一步披露相关信息。

ChainCatcher 消息，Serenity 发文表示，杠杆交易者已从 AI 股票重新转向 Hyperliquid（加密市场）及生物科技标的，其认为这可能有助于 AI 股票更快恢复。韩国 ETF EWY 上涨主要受 SK 海力士股票回购推动，同时三星晶圆代工价格上调约 10% 至 15%。 Serenity 称，SK 海力士披露 CPO 路线图，相关方案涉及连接内存的光子中介层，后续可能扩大可寻址市场，并带动激光器、光子集成电路及封装等供应链需求。此外，继长鑫存储（CXMT）成功上市后，长江存储（YMTC）正寻求于下一季度 IPO。 光电厂商 Tyntek 涨停，其订单能见度已延伸至 2028 年，反映光子产业光电二极管供需失衡。此外，高端 PCB 钻针短缺仍在持续，AI 数据中心、服务器及光通信正推动 PCB、HDI 和封装基板需求，而钨价也在上涨。

ChainCatcher 消息，据韩联社旗下 Infomax 报道，SK 海力士正推进在日本宫城县建设半导体工厂的计划，投资规模达 数十万亿韩元。SK 集团会长崔泰源近期已亲自访问该地区。宫城县是日本政府重点扶持的三大半导体产业基地之一。 报道称，该工厂为 SK 海力士在韩国龙仁、湖南集群之外增设的海外生产基地，旨在满足持续紧张的全球内存供需形势。若计划落地，SK 海力士将成为继美光、台积电之后第三家在日设厂的外国半导体企业。报道指出，由于美国持续施压韩国企业扩大对美投资，此次对日投资可能进一步加剧美方压力，同时日本政府的补贴政策也是重要考量因素。SK 海力士尚未就此消息正式回应。此前 8 月 20 日，SK 海力士刚宣布 40 万亿韩元股份回购注销计划。

ChainCatcher 消息，据东亚日报报道，三星电子计划将京畿道平泽半导体事业场核心项目 P5 1·2 工厂（Fab 5·6）由原有双层晶圆厂扩大为三层晶圆厂建设，以应对全球人工智能半导体及存储器超级周期、最大化提升产能。三星电子近日已提交产业园区计划变更案，拟将容积率由 350% 上调至最高 490%，该变更须经京畿道知事审查并获国土交通部产业选址政策审议委员会批准后最终确定。平泽 P5 1·2 工厂为单一标准下全球最大规模半导体工厂，2022 年开工、目标 2030 年完工，将生产高带宽存储器（HBM）、高端 DRAM、下一代 V-NAND 及先进代工产品。目前已投产的平泽 P4 采用单栋 4 个洁净室的双层结构；若变更获批，P5 起将配置最多 6 个洁净室，洁净室数量与产能有望提升约 1.5 倍。SK 海力士亦计划将龙仁半导体集群新建晶圆厂全部采用三层结构。市场机构 Counterpoint Research 预计，全球存储器市场规模有望由去年约 360 万亿韩元增至今年 1500 万亿韩元、明年 2100 万亿韩元。在电力、用水与土地获取日趋困难的背景下，提高容积率建设三层晶圆厂，成为突破有限空间物理限制并依托既有半导体产业生态的重要路径。

ChainCatcher 消息，据 Gate 行情数据显示，日经 225 指数在 8 月 13 日收盘上涨 784.53 点，涨幅 1.16%，报 68,308.59 点。韩国 KOSPI 指数同日收盘上涨 210.97 点，涨幅 3.21%，报 6,790.01 点，SK 海力士涨 5.9%，三星电子涨 3.9%。

ChainCatcher 消息，SK海力士在最新文章中表示，AI竞争正从单一芯片性能转向整个基础设施架构的设计与运营。AI 数据中心的竞争力不再取决于单个组件，而在于计算、内存、存储、网络及供电散热五大要素能否无缝集成。 文章指出，AI模型规模持续扩大带来算力和数据移动需求激增。训练需反复读取海量数据集，推理则依赖快速检索用户请求信息，两者都对数据中心的系统架构提出更高要求。内存层面，HBM、服务器DRAM等已形成分层系统，各自承担不同带宽与容量任务。网络层面，随着大规模式训练和推理依赖多服务器并行处理，网络已成为决定数据中心可扩展性的关键因素。系统设计正从单服务器向整机架和集群级扩展。 据 Omdia 预测，AI数据中心芯片市场将从 2024 年的 1230 亿美元增至 2025 年 2070 亿美元，2030年将达2860亿美元。SK海力士还提及微软威斯康星州Fairwater数据中心长约5个足球场，表明基础设施正以更大规模部署。SK 海力士强调，内存正成为连接计算与数据的关键层级。