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first_img SK 海力士称 3D DRAM 开发可利用代工工艺

ChainCatcher 消息,SK 海力士 9 日表示,下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。此前一日,该公司在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上,副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向,包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将原先平面铺设的存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。两人表示,实现该技术除设计与发热问题外,还需一并解决微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近,超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称,3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界,需与先进封装技术创新一起,建立超越既有领域的优化与新协作体系。同主题发表的高丽大学教授申昌焕表示,3D DRAM 不仅是芯片垂直堆叠,更是打破存储器与逻辑边界的技术;随着器件微细化接近极限、系统与存储器间数据移动带来的时间与功耗增加,转向 3D 技术不可避免,并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁正在致辞中称,过去存储器市场像比谁跑得更快的直线道路,现在则像时刻变化的弯道,除内部能力外,把握外部环境变化速度与方向并灵活适应也很重要。
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