晶圆厂

ChainCatcher 消息，台积电正考虑扩大在美国的生产布局，计划在得州达拉斯建设第二座制造基地，最多可能包括 6 座先进晶圆厂。新晶圆厂的总投资额或超过台积电已承诺投入亚利桑那州园区的 2,650 亿美元。台积电尚未对此消息作出正式回应。

ChainCatcher 消息，经济日报援引半导体设备业界消息称，台积电拟扩大美国制造布局，继亚利桑那州之后启动美国第二园区建厂计划，再盖六座先进晶圆厂，落脚德州达拉斯的呼声较高。报道称，若启动第二园区，总投资金额估将超越亚利桑那州的 2650 亿美元，并串起亚利桑那晶圆制造与德州先进生态系。至 9 月 28 日，记者未取得台积电回应；供应链业者称业主尚未通知预做准备，董事会也尚未拍板。台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的晶圆厂区目前总投资额已拉高至 2650 亿美元，规划包含六座晶圆厂、两座先进封装厂及一个研发中心。报道称，台积电加码海外布局的考量包括贴近客户、分散地缘政治风险，以及克服台湾土地与水电等资源限制。美国客户占台积电营收比重在 2026 年上半年约 75.64%。业界盛传，台积电响应辉达、英特尔、超微、苹果等客户对美国在地生产的需求，并面临美国政府扬言晶片制造商须迁回美国、否则将被课高达 200% 关税的压力。达拉斯及北德州有“硅草原”之称，当地已有德州仪器、 Coherent 、三星与特斯拉设厂。报道称，亚利桑那厂区仍面临缺水、缺电、缺工等挑战，德州则具备人才、较低税负及稳定电力，供应链业者认为选址评估已进入尾声。

ChainCatcher 消息，台积电参股芯片制造商 VIS 在新加坡的首座晶圆厂投产即满产，受 AI 基础设施需求推动。该工厂与恩智浦合资，于 6 月试生产，良率达 99%，计划 2027 年初量产。台积电持股约 19%。

ChainCatcher 消息，据工商时报报道，台积电为推进 1.4 纳米（A14）先进制程，加速中科四厂建厂。截至 2026 年 9 月上旬，中科二期 P1 厂工程进度顺利，预计 2027 年 4 月完工并进入设备进驻与试产；P2 厂同步推进，预计 2027 年底前完成与 P1 厂设备调适并达成量产准备。报道称，中科整体四座 1.4 纳米晶圆厂预计 2028 年第二季全数完工并投入大规模量产。A14 主要预订客户包括苹果、英伟达、超微、高通、联发科、博通及云端服务商等，估计届时每月产能可达 12 万至 16 万片 12 吋晶圆，对台积电年营收贡献估计可达 450 亿至 520 亿美元。

ChainCatcher 消息，据韩国《文化日报》报道，三星电子美国得克萨斯州泰勒晶圆厂预计本月底前后进入试运行，因特斯拉、博通、Arm 等 2 纳米订单持续涌入，投产前产能已接近满载。该厂自 2022 年起累计投资 370 亿美元，计划下月初试运行、明年量产，初期月产能约 5 万片晶圆，接近台积电约 8 万片水平。报道称，泰勒厂将生产特斯拉下一代人工智能芯片 AI5、博通新一代通信芯片及 Arm 智能设备 AI 芯片等。三星 2 纳米良率由今年初约 60% 升至近期约 80%。公司 6 月已向该厂派遣工艺、设备与良率人员，7 月开始安装设备。三星在近期业绩会上预计今年 2 纳米接单量较去年增加一倍以上，并称英伟达推理芯片 Grok3 已于上月开始量产；三星近期还将 4 纳米代工价格上调最多 15%。泰勒二厂计划今年底开工、2030 年量产，三星已要求主要合作商提前完成相关生产设备安全认证，部分合作商正考虑向当地派遣数十名人员。同期，英特尔上月发行约 200 亿美元新股并扩大 2 纳米级 18A 与 1.4 纳米级 14A 投资，日本 Rapidus 上月在北海道完成 2 纳米工厂并进入晶圆试投阶段。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子正加快在美国扩大尖端晶圆代工产能。公司计划于今年年底启动得克萨斯州泰勒晶圆厂二期建设，目标 2030 年量产，并已要求主要设备合作伙伴提前获取 SEMI 认证，以便后续设备导入与出口。SEMI 认证是评估半导体设备安全性的标准，通常为设备出境前的必要程序。泰勒晶圆厂承担三星最先进代工量产任务。一期目前正进行设备进场与安装，目标今年年底投产，主力量产工艺为 2 纳米，特斯拉被视为核心客户。三星在上月二季度业绩电话会上表示，为及时响应客户需求增长，泰勒二期将于今年年底开工。业内人士称，尽管二期具体规格尚未最终确定，三星代工业务已提前推动相关准备。此前三星曾因客户不足与市况疲软多次推迟泰勒一期投资，直至特斯拉于去年三季度与其签订约 22.76 万亿韩元代工协议后建设提速。二期实际量产节奏仍将取决于对特斯拉供货扩大及新增大客户进展。另有消息称，三星 E&A 正考虑向当地派遣数十名建设人员。

ChainCatcher 消息，据东亚日报报道，三星电子计划将京畿道平泽半导体事业场核心项目 P5 1·2 工厂（Fab 5·6）由原有双层晶圆厂扩大为三层晶圆厂建设，以应对全球人工智能半导体及存储器超级周期、最大化提升产能。三星电子近日已提交产业园区计划变更案，拟将容积率由 350% 上调至最高 490%，该变更须经京畿道知事审查并获国土交通部产业选址政策审议委员会批准后最终确定。平泽 P5 1·2 工厂为单一标准下全球最大规模半导体工厂，2022 年开工、目标 2030 年完工，将生产高带宽存储器（HBM）、高端 DRAM、下一代 V-NAND 及先进代工产品。目前已投产的平泽 P4 采用单栋 4 个洁净室的双层结构；若变更获批，P5 起将配置最多 6 个洁净室，洁净室数量与产能有望提升约 1.5 倍。SK 海力士亦计划将龙仁半导体集群新建晶圆厂全部采用三层结构。市场机构 Counterpoint Research 预计，全球存储器市场规模有望由去年约 360 万亿韩元增至今年 1500 万亿韩元、明年 2100 万亿韩元。在电力、用水与土地获取日趋困难的背景下，提高容积率建设三层晶圆厂，成为突破有限空间物理限制并依托既有半导体产业生态的重要路径。

ChainCatcher 消息，台积电于 8 月 11 日召开董事会，核准资本预算约 294.43 亿美元，用于扩充先进制程及先进封装产能，以应对 AI 与高性能计算带来的强劲需求。今年 5 月董事会已核准 312.83 亿美元，累计全年核准资本预算达 607.26 亿美元（约新台币 1.96 万亿元）。台积电董事长魏哲家此前在 7 月法说会上表示，未来几年将在台湾持续兴建 13 座先进晶圆厂及先进封装厂，涵盖高雄、新竹宝山及台南，美国亚利桑那州总投资规模亦增至 2650 亿美元。 董事会同时核准与索尼半导体解决方案公司成立合资公司，台积电认股上限为 2820 亿日元，合资公司位于日本熊本县合志市，目标 2029 年量产智能手机用下一代影像传感器。此外，董事会核准第二季度每股现金股利 7 元新台币，除息交易日为 12 月 10 日。台积电将提供符合规定的外资股东以美元收受现金股利的选择权利。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，知情人士称，长鑫存储正考虑在北京亦庄建设第二座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，并与北京经济技术开发区及多家国有科技企业洽谈融资。公司正寻求至少 6,000 万元人民币（约 890 万美元）支持，但谈判仍处早期阶段，融资规模与结构可能调整。 拟建工厂将位于长鑫存储现有北京 DRAM 晶圆厂所在地。项目规划产能和总投资尚未确定，而建设一座可生产先进 DRAM 的晶圆厂通常需要超过 100 亿美元。目前，长鑫存储在合肥运营两座、北京运营一座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，每座月产能约 10 万片。长鑫存储还在上海和合肥建设新工厂，相关项目全面投产后，公司月产能可能翻倍至超过 60 万片。 此次扩产正值 AI 基础设施、数据中心及消费电子需求推动存储芯片进入上行周期。公司上月完成 86 亿美元 IPO，为中国内地规模最大的半导体企业上市融资，上市后股价已上涨 13%。长鑫存储目前是全球第四大 DRAM 制造商，但三星电子、SK 海力士和美光第一季度合计仍占据接近 90% 的全球市场份额。北京和上海也在向长鑫存储提供资金及其他支持，以争取其扩张带来的经济和战略收益。